Главная / Наука / Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения

Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.

Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).

Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.

Источник: Ferra.ru

Магазин сайтов Top-Bit

Смотрите также

6028be3fd514a511fa65991875d9f2e4

Загрязнение воздуха может вызывать обвалы и оползни

В Китае все плохо с загрязнением атмосферы: крупные города периодически накрывает такой смог, что люди вынуждены уезжать. …

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *